【摘要】 本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法，至少包含提供具有字符线(word line)的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom AntireflectiveCoating，BARC)；接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环，每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch)，蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行，阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810132082.X 【申请日】2008-07-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101355050B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101355050B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】刘世昌; 刘源鸿; 蔡嘉雄 【主权项内容】一种字符线蚀刻的方法，其特征在于，该方法至少包含下述步骤：(a)图刻一字符线；(b)在该字符在线沉积一层多晶硅；(c)在该层多晶硅上沉积一层底部抗反射材料；(d)使用一阶梯式蚀刻法蚀刻该底部抗反射层及该多晶硅层，该阶梯式蚀刻法会移除该底部抗反射层及一部分该多晶硅层；(e)在该已蚀刻的多晶硅层顶部表面沉积一介电层；以及(f)在该介电层上施加一掩膜层，并蚀刻至少一图形至该多晶硅层；其中该阶梯式蚀刻法包含一第一蚀刻循环，其包含一第一蚀穿及一第一软性着陆蚀刻；以及一第二蚀刻循环，其包含一第二蚀穿及一第二软性着陆蚀刻，且其中该第一及第二蚀穿是使用四氟化碳气体来执行，而该第一及第二软性着陆蚀刻是使用溴化氢及氧化氦的复合气体来执行。 该数据由<>整理 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】5
