【摘要】 一种凹入式沟道晶体管结构，包含一半导体基底；一沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出一有源区域；一栅极沟槽，设于该有源区域中，该栅极沟槽包含一垂直侧壁部分及一球型底部；一凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，该凹入式栅极包含一球型栅极下部，位于该球型底部；一栅极氧化层，位于该球型底部；一源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；一漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及一沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从一栅极沟道宽度方向来看，为一上凸的曲面轮廓。 【专利类型】发明授权 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810109134.1 【申请日】2008-05-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587908B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587908B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/10; H01L27/108 【发明人】王哲麒; 廖伟明 【主权项内容】一种凹入式沟道晶体管结构，包含有：半导体基底；沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出有源区域；栅极沟槽，设于该有源区域中，其中该栅极沟槽包含垂直侧壁部分以及球型底部；凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，且该凹入式栅极包含球型栅极下部，位于该球型底部；栅极氧化层，位于该球型底部，介于该半导体基底与该球型栅极下部之间；源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从栅极沟道宽度方向来看，为上凸的曲面轮廓。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
