【摘要】 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该结构包括一半导体衬底，一平面晶体管，位于半导体衬底的第一部分，其中半导体衬底的第一部分具有第一上表面。一多栅晶体管，位于半导体衬底的第二部分。半导体衬底的第二部分从第一上表面凹入，以形成多栅晶体管的鳍状物，且鳍状物借助一绝缘物与半导体衬底电性隔离。本发明降低了鳍式场效应晶体管的击穿电流、改善了鳍式场效应晶体管的载流子迁移率、以及降低了制作成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810175129.0 【申请日】2008-10-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101577278B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101577278B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/085; H01L27/088; H01L21/8232; H01L21/8234 【发明人】张正宏; 余振华; 叶震南 【主权项内容】一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一平面晶体管，位于该半导体衬底的第一部分，其中该半导体衬底的第一部分具有第一上表面；以及一多栅晶体管，位于该半导体衬底的第二部分，其中该半导体衬底的第二部分从该第一上表面凹入，以形成该多栅晶体管的鳍状物，且该鳍状物借助一绝缘物与该半导体衬底电性隔离，其中该绝缘物将该鳍状物与其下方的一额外鳍状物电性隔离，且其中该鳍状物与该额外的鳍状物为同一鳍状物的不同部分。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】100.0 【家族被引证次数】332
