【摘要】 本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率，大于另一以该介电层形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。本发明可增加介电层与一层或同时两层缓冲层间的同调性，从而改善RRAM堆叠层的电阻率。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810005124.3 【申请日】2008-01-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101295763B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101295763B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L43/08; H01L45/00; H01L27/22; H01L27/24; G11C11/15; G11C11/56; G11C13/00 【发明人】邓端理; 吴泰伯; 张文渊; 李自强 【主权项内容】一种电阻式存储器装置，包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，包含镍酸镧且形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，包含Pr1-xCaxMnO3材料且形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率大于另一以该介电层直接形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。 微信 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】43
