【摘要】 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240353.3 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752789A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752789B 【授权公告日】2011-08-17 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01S5/34; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】梁松; 朱洪亮; 王圩 【主权项内容】一种NPN异质结双极型晶体管激光器，其特征在于，包括，一衬底(1)；一缓冲层(2)，该缓冲层(2)生长在所述衬底(1)上；一下包层(3)，该下包层(3)生长在所述缓冲层(2)上；一亚集电极层(4)，该亚集电极层(4)生长在所述下包层(3)上；一集电极层(5)，该集电极层(5)生长在所述亚集电极层(4)上；一基极层(6)，该基极层(6)生长在所述集电极层(5)上；一量子阱有源区层(7)，该量子阱有源区层(7)生长在所述基极层(6)上；一发射极层(8)，该发射极层(8)生长在所述量子阱有源区层(7)上；一上包层(9)，该上包层(9)生长在所述发射极层(8)上；一接触层(10)，该接触层(10)生长在所述上包层(9)上。 微信 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】14 【被自引次数】6.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】14
