【摘要】 本发明公开了一种嵌套型磁铁，该磁铁包括：两个开口相对的П形主磁铁，用于提供磁场分布；分别缠绕在该П形主磁铁横梁上的两个励磁线圈；两个开口相对的П形内磁铁，用于改善磁场分布，该两个内磁铁分别位于两П形主磁铁的空腔内，且该两个内磁铁各有两个线圈，该两个线圈分别位于内磁铁的极头上。利用本发明，可以形成类似阶梯形的磁场分布，非常适合于将原始的高斯分布，甚至是很不规则的束流分布，在靶上转换为相对均匀化的束流。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院高能物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100049 北京市石景山区玉泉路19号乙 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】石景山区 【申请号】CN200810056248.4 【申请日】2008-01-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101488390B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101488390B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01F7/00; H01J37/00 【发明人】唐靖宇 【主权项内容】一种嵌套型磁铁，其特征在于，该磁铁包括：两个开口相对的п形主磁铁，用于提供磁场分布；分别缠绕在该п形主磁铁横梁上的两个励磁线圈；两个开口相对的п形内磁铁，用于改善磁场分布，该两个内磁铁分别位于两п形主磁铁的空腔内，且该两个内磁铁各有两个线圈，该两个线圈分别位于内磁铁的极头上；其中，该内磁铁的磁场分布与该主磁铁的磁场分布是相反的，能够将位于主磁铁边缘的磁通吸收到该内磁铁中，缩短边缘磁场的延伸距离并改善磁铁的纵向分布，形成沿纵向为硬边近似的阶梯形的磁场分布。 【当前权利人】中国科学院高能物理研究所 【当前专利权人地址】北京市石景山区玉泉路19号乙 【统一社会信用代码】12100000400012211J 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】12
