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质子交换膜与其形成方法专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明提供一种质子交换膜的形成方法,包括取双马来酰亚胺与巴比土酸共聚形成超分歧高分子;将磺酸化四氟乙烯共聚物水溶液的溶剂由水置换成二甲基乙胺;将10至15重量份的超分歧高分子加入90至85重量份的磺酸化四氟乙烯共聚物溶液后,静置并加热至50℃,使超分歧高分子与磺酸化四氟乙烯共聚物互相穿透;将加热后的溶液涂布至基板上,烘烤后进行前处理步骤去除二甲基乙胺即形成质子交换膜。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185731.2 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101747572A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101747572B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C08L27/22; C08L79/08; C08J5/22; H01M8/02; H01M8/10; H01M2/16; H01M8/1041 【发明人】张中良; 潘金平; 王宗雄; 林月微; 徐雅亭 【主权项内容】一种质子交换膜,包括:85至90重量份的磺酸化四氟乙烯共聚物;以及15至10重量份的超分歧高分子,是由双马来酰亚胺与巴比土酸聚合而成;其中所述磺酸化四氟乙烯共聚物与所述超分歧高分子相互穿透。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】1

  • 【摘要】本发明揭示一种发光二极管的荧光粉封装工艺,是利用一射出成型技术在一发光二极管芯 片上成型一荧光粉体,再在所述荧光粉体的外部成型一发光二极管透镜,进而完成一发光二极 管的荧光粉封装工艺;如此,即可精确控制所述荧光粉体涂布在所述发光二极
  • 【摘要】仰视图和俯视图无设计要点,省略仰视图和俯视图。【专利类型】外观设计【申请人】立兆股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中国台湾台北县五股乡五股工业区五工五路63号【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN200830
  • 【摘要】本发明公开一种半导体芯片的接合方法,包括:提供一真空环境;以及在该真空环境下执行一处理,其包括在该半导体芯片上至少进行氢气热退火、氢气等离子体处理与氨等离子体处理其中之一。本发明的优点为减少露出的导电材料的氧化,且大幅或完全消除湿气
  • 【摘要】本发明公开一种支持同轴电缆多媒体联盟标准的电子装置,其适于耦接一 同轴电缆。电子装置包含输入端、后级处理单元以及带通滤波器。输入端耦接 同轴电缆。带通滤波器耦接于输入端与后级处理单元之间,且由输入端接收一 输入信号,带通滤波器使得一
  • 【摘要】一种适用于背光模块的背板架构,至少包含一金属背框及第一支撑架。第一支撑架为具有封闭的一横切面的结构,第一支撑架具有至少两端部,两端部分别叠设且固接于金属背框上方。利用本发明的具有支撑架的背板架构,不仅可以减轻最终显示器整体的重量,也
  • 【摘要】本发明提供一种闪存控制器及设定闪存的错误修正码容量的方法,闪存具有数据区域,以储存数据内容,并且具有第一备用区域,以储存相对应于该数据内容的第一错误修正码值。错误修正码(ECC)模组利用该数据内容产生第二错误修正码(ECC)值,并且