【摘要】 本发明公开一种半导体芯片的接合方法，包括：提供一真空环境；以及在该真空环境下执行一处理，其包括在该半导体芯片上至少进行氢气热退火、氢气等离子体处理与氨等离子体处理其中之一。本发明的优点为减少露出的导电材料的氧化，且大幅或完全消除湿气与化学残留物，如此可提供优选的附着，因而有优选的接合可靠度。本发明的更进一步优点为延长等候时间，因而减缓工艺中的时间限制且不会产生显著的额外成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810092994.9 【申请日】2008-04-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101295654B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101295654B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/60 【发明人】刘重希; 余振华; 米玉杰; 孙元成 【主权项内容】一种半导体芯片的接合方法，包括：提供一真空环境于一真空环境处理室中；在该真空环境处理室中执行一处理，其包括在该半导体芯片上至少进行氢气热退火、氢气等离子体处理与氨等离子体处理其中之一；以及将该半导体芯片与另一半导体芯片接合。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】12
