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侦测远端串行端口设备的系统及其方法专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 本发明揭示一种侦测远端串行端口设备的系统及其方法,其特征在于,包含主机及与主机以网络通连的远端接口装置。远端接口装置具有用于连接端串行端口设备的串行端口。远端接口装置利用主机所提供的过滤规则侦测该串行端口的连接状况。当连接状况改变时,远端接口装置传送事件通知给主机,主机则依照连接改变的情况新增或移除应用程序用于控制远端串行端口设备的虚拟端口装置。利用此机制,使主机具备远端串行端口设备随插即用的功能。。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810187834.2 【申请日】2008-12-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764715A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H04L12/26; H04L12/24 【发明人】陈柄佑; 吴年钦; 吴金能; 黄永顺 【主权项内容】一种侦测远端串行端口设备的系统,其特征在于,包含:主机,连接于网络,包含:主机通信模块;以及虚拟端口管理模块,用于提供用以管理远端串行端口设备的过滤规则;以及远端接口装置,具有用于连接该远端串行端口设备的串行端口,该远端接口装置包含:装置通信模块,与该主机通信模块根据通信协议通连,其中该主机通信模块与该装置通信模块间依该通信协议在该网络中通过自动搜寻而建立连接;远端串行端口建立模块,建构以通过该通信协议提供事件通知服务;及侦测模块,建构以利用该过滤规则侦测该远端串行端口设备的连接状况,及在发现该连接状况改变时,利用该事件通知服务提供该主机事件通知。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

  • 【摘要】新的依西美坦多晶型物,其特征在于其粉末X-射线衍射图在10.7±0.1、 15.9±0.1和18.1±0.12θ度处有峰。【专利类型】发明申请【申请人】台湾神隆股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中国台湾【申请人地区】中国【
  • 【摘要】一种垂直型发光二极管(light emitting diode,LED)包含:一金属基底;一连接于该金属基底的p型电极;一连接于该p型电极的p型接点(面);一连接于该p型电极的p型GaN部分;一连接于该p型GaN部分的活性区域;一连
  • 【摘要】本发明涉及一种高功率发光二极管陶瓷封装结构及其制造方法,该高功率发光二极管陶瓷封装结构包含一发光二极管晶粒、一陶瓷基板、至少两个导柱及一导电膜层。该陶瓷基板包含一第一表面及一相对于该第一表面的第二表面,该第一表面凹设有一反射杯,且该
  • 【摘要】本发明是有关于一种线圈结构及其制造方法,其主要是设有以微细直径的金属线材卷绕成形的线圈,对应配置于涂布有导电层的软性电路板[FPC]上,且线圈两端与导电层相接形成电极部,再由软性电路板上将其裁切成个体,以对应进行包覆成形及弯折电极部
  • 【摘要】本发明公开了一种测试载板,具有一元件接合区,用以承载一封装元件,以对封装元件进行测试,测试载板包括多个介电层、一表层线路层、至少一内层线路层、多个接垫以及多个测试垫。表层线路层位于介电层的最外侧。内层线路层位于两相邻的介电层之间,并
  • 【摘要】一种半导体发光元件,包含:一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上,受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚,对应发光强度较弱区域厚度较薄,受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的