【摘要】 一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上，受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法，包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有预定形状的治具；c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点，达到色度均匀。 【专利类型】发明申请 【申请人】佰鸿工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810187393.6 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771108A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101771108B 【授权公告日】2012-07-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】李承士; 殷寿志; 谢馨仪; 林神江 【主权项内容】一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层；该受激发光层覆盖于该半导体晶片上；其特征在于：该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。 【当前权利人】佰鸿工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
