【摘要】 一种垂直型发光二极管(light emitting diode，LED)包含：一金属基底；一连接于该金属基底的p型电极；一连接于该p型电极的p型接点(面)；一连接于该p型电极的p型GaN部分；一连接于该p型GaN部分的活性区域；一连接于该活性区域的n型GaN部分；以及一连接于该n型GaN的荧光体层。 【专利类型】发明申请 【申请人】旭明光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200880015935.X 【申请日】2008-03-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101919071A 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/44; H01L33/50; H01L33/64 【发明人】陈长安; 段忠 【主权项内容】一种垂直型发光二极管结构，包含：一金属基底，沉积邻接于一p型GaN层；一活性区域，连接于该p型GaN层并用以发射光波；一n型GaN层，连接于该活性区域；及一荧光体层，连接于该n型GaN层。 【当前权利人】旭明光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【引证次数】5.0 【被引证次数】7 【他引次数】5.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】27.0 【家族被引证次数】124
