【摘要】 本发明公开了一种存储单元及其制造方法。一种存储单元，设置于一衬底上，此衬底中具有多个隔离结构，且隔离结构于该衬底中定义出至少一鳍状结构，该鳍状结构的上表面高于该多个隔离结构的上表面。此存储单元包括：一掺杂区、一栅极、一电荷陷入结构与一源极/漏极区。掺杂区位于鳍状结构的一顶部且接近鳍状结构的顶部的一表面，其中掺杂区具有一第一导电型。栅极设置于基底衬底上，横跨鳍状结构。电荷陷入结构设置于栅极与鳍状结构之间。源极/漏极区设置于栅极所裸露的鳍状结构中，其中源极/漏极区具有一第二导电型且第一导电型与第二导电型不同。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810098972.3 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101325200B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101325200B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L27/12; H01L29/792; H01L21/8247; H01L21/84; H01L21/336 【发明人】徐子轩; 吕函庭 【主权项内容】一种存储单元，设置于一衬底上，该衬底中具有多个隔离结构，该多个隔离结构于该衬底中定义出至少一鳍状结构，该鳍状结构的上表面高于该多个隔离结构的上表面，其特征在于，该存储单元包括：一掺杂区，位于该鳍状结构的一顶部且接近该鳍状结构的该顶部的一表面，其中该掺杂区具有一第一导电型；一栅极，设置于该衬底上，横跨该鳍状结构；一电荷陷入结构，设置于该栅极与该鳍状结构之间；以及一源极/漏极区，设置于该栅极所裸露的该鳍状结构中，其中该源极/漏极区具有一第二导电型且该第一导电型与该第二导电型不同。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】11
