【摘要】 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其形成方法。该多层陶瓷电容器包含 电容陶瓷体、中介连接层以及导电层，电容陶瓷体包含多层介电陶瓷层以及 沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极，中介连接层形成于电容陶瓷体 外，并与部分的内部电极电性连接，导电层覆盖中介连接层，其中，中介连 接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，导电层的导电材料为聚合物型银胶。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】达方电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131008.6 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656152A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656152B 【授权公告日】2011-08-17 【授权公告年份】2011.0 【发明人】裴修祥; 吴旻修 【主权项内容】1.一种多层陶瓷电容器，包括： 电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着这些介电陶瓷层的表面形成 的多层内部电极； 中介连接层，形成于该电容陶瓷体外，并与部分的这些内部电极电性连 接；以及 导电层，覆盖该中介连接层， 其中，该中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，且该导电层的导电 材料为聚合物型银胶。 （，） 【当前权利人】达方电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
