【摘要】 一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，此方法是先在绝缘层上 覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；然后，在绝缘层上覆硅基板 上形成绝缘材料，并填满沟渠；之后，进行第一蚀刻制程，移除部分绝缘材料， 直到暴露出主动区的顶面，以及直到主动区之间的绝缘材料的顶面低于主动区 的顶面。 【专利类型】发明申请 【申请人】新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市公道五路二段158号5F-2 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810210681.9 【申请日】2008-08-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645392A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【发明人】赵崇斌 【主权项内容】1、一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，包括： 在一绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区； 在所述绝缘层上覆硅基板上形成一绝缘材料，并填满所述沟渠；以及 进行一第一蚀刻制程，移除部分所述绝缘材料，直到暴露出所述主动区的 顶面，以及直到所述主动区之间的所述绝缘材料的顶面低于所述主动区的顶 面。 【当前权利人】新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市公道五路二段158号5F-2 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
