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电压转换电路专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 一种电压转换电路,用来转换一高电压为一低电压,电压转换电路包含:一电流镜、一电流偏置、多个负载以及一低电压输出。电流镜包含一第一P型金属氧化物半导体以及一第二P型金属氧化物半导体,其中第一及第二P型金属氧化物半导体的源极都连接一高电压输入,高电压输入为电流镜的一供应电压,第一P型金属氧化物半导体的栅极连接至第一P型金属氧化物半导体的漏极;电流偏置连接第一P型金属氧化物半导体的漏极及一接地电位;负载相互并联,连接于第二P型金属氧化物半导体的漏极及接地电位;低电压输出连接于第二P型金属氧化物半导体的漏极。 【专利类型】发明申请 【申请人】原景科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170407.3 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728950A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728950B 【授权公告日】2012-10-31 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H02M3/155; H01L27/00; H02M3/04 【发明人】李秋平; 尹明德; 陈廷仰 【主权项内容】一种电压转换电路,用来转换一高电压为一低电压,该电压转换电路包含:一电流镜,包含一第一P型金属氧化物半导体以及一第二P型金属氧化物半导体,其中该第一及第二P型金属氧化物半导体的源极都连接一高电压输入,该高电压输入为该电流镜的一供应电压,该第一P型金属氧化物半导体的栅极连接至该第一P型金属氧化物半导体的漏极;一电流偏置,连接该第一P型金属氧化物半导体的漏极及一接地电位;多个负载,所述多个负载相互并联,连接于该第二P型金属氧化物半导体的漏极及该接地电位;以及一低电压输出,连接于该第二P型金属氧化物半导体的漏极。 【当前权利人】原景科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台南县 【被引证次数】5 【被自引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5

  • 【摘要】本发明公开了一种增加储存电容的像素结构及其制造方法。首先,于基板上形成第一图案化导体层,其包括栅极、电容电极以及数据线。接着,于基板上形成栅极绝缘层,以覆盖第一图案化导体层,并于栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体通道层。然后,于栅极绝
  • 【摘要】本发明公开了一种高导热基板结构及其制作方法,该基板包括一金属基板、一热传导承载基座、至少一个接合材料、至少一个导电材料、至少一个接合皮膜、至少一个防焊材料、一导热接合部、一导电接合部以及一高功率元件,其主要功能在于提高基板的导热性及
  • 【摘要】本发明是一种具安全机制的远端控制方法,是使主机设备通过电话网络传输一辨识码至远端的输出输入控制装置,所述输出输入控制装置的中央处理单元接收到此辨识码后,再判断是否与其内的预设值相符,若相符则开启主机设备与输出输入控制装置间的行动网际
  • 【摘要】本发明是有关于一种聚合蛋白酶链锁反应仪,其包含:一第一载体,具有多个凹槽及至少一第一限位孔;一第二载体,拆卸地贴附于该第一载体,该第二载体具有至少一第二限位孔;以及至少一限位件;其中,当该至少一限位件各别通过该至少一第二限位孔而各别
  • 【摘要】本发明提供一种电位调整可程序化储存记录实施方法,该方法将半导体IC芯片电性修整参数储存于特定位置,当制造需求产生时,可将储存参数自储存特定位置取出,并传输至具有参数加载功能的设备,该设备可将预储的修整参数,依制造规格需求,快速加载生
  • 【摘要】一种发光二极管植物组织培养灯及其培养承架,发光二极管植物组 织培养灯包含:承载件,用以收容栽培物;罩覆件,用以罩覆承载件, 包含通气孔;及光源装置,设置于罩覆件上,包含:反射件,包含凹槽 与透孔,凹槽的表面为反射面,透孔为对应通气孔