【摘要】 本发明提供一种双触发型可控硅整流器，其包括：半导体衬底、N井、P井、第一N+扩散区域与第一P+扩散区域、第二N+扩散区域与第二P+扩散区域；第三P+扩散区域，设于双触发型可控硅整流器一侧并横跨N井与P井；第三N+扩散区域，设于其另一侧并横跨N井与P井；第一栅极，设于第二P+扩散区域与第三P+扩散区域间的N井的表面上方，用于作为P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二栅极，设于第一N+扩散区域与第三N+扩散区域之间的P井的表面上方，用于作为N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。本发明的双触发型可控硅整流器可以承受高电压准位，并且可以更快速地进行是否导通的切换操作。 【专利类型】发明授权 【申请人】瑞鼎科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810082714.6 【申请日】2008-02-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101521224B 【公开公告日】2010-07-14 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101521224B 【授权公告日】2010-07-14 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/74 【发明人】洪根刚 【主权项内容】一种双触发型可控硅整流器，包括：半导体衬底；井区，设置在所述半导体衬底中；第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在所述半导体衬底内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第一电极；第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在所述井区内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第二电极；第三P+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第二P+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及所述半导体衬底之间；第三N+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第一N+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及所述半导体衬底之间；第一栅极，设置在所述第二P+扩散区域与所述第三P+扩散区域之间的所述井区的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二栅极，设置在所述第一N+扩散区域与所述第三N+扩散区域之间的所述半导体衬底的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。 【当前权利人】瑞鼎科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
