【摘要】 一种晶圆表面氧化膜去除方法，它包括：以下几个步骤：(1)将待去除表面氧化膜的硅片对准操作台保护气腔的片槽内，用真空吸盘固定硅片位置；(2)打开通入片槽下方的保护气阀，关闭反应室；(3)调节位于硅片上方的HF阀门；(4)打开鼓泡气阀门；(5)氢氟酸气体腐蚀晶圆氧化膜，关闭鼓泡气阀门；(6)打开干燥气阀，关闭保护气阀；(7)取出硅片；(8)检测去除情况。本发明的优点是：方法简单，操作方便，效率高，工艺成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239122.0 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752212A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/311; H01L21/66; H01L21/02 【发明人】徐继平 【主权项内容】一种晶圆表面氧化膜去除方法，它包括：以下几个步骤：(1)、将待去除表面氧化膜的硅片对准操作台保护气腔的片槽内，用真空吸盘固定硅片位置；(2)、打开通入片槽下方的保护气阀，关闭反应室；(3)、调节位于硅片上方的HF阀门；(4)、打开鼓泡气阀门；(5)、氢氟酸气体腐蚀晶圆氧化膜，关闭鼓泡气阀门；(6)打开干燥气阀，关闭保护气阀；(7)取出硅片；(8)、检测去除情况。 【当前权利人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号; 北京市西城区新街口外大街2号 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
