【摘要】 本发明涉及一种微型电场传感器的封装结构，可实现抗静电积累， 消除自身带电等影响，提高实际探测的可靠性和稳定。所述微型电场传 感器封装结构主要包括由两个同样的探测单元和封装支撑结构三部分组 成，其中每个探测单元主要包括一基板、一导体封盖、一传感器芯片等。 其中所述传感器分别装载在基板上，并淀积金属和布线，可制备传感器 的检测电路，通过简单、高效的密封技术实现基板和导电封盖的紧密结 合。所述探测单元通过倒装焊技术实现结构的对称布置，并利用所述传 感器封装的支撑结构进行整个封装结构的固定和安装。本发明可实现微 型电场传感器的系统级封装。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222768.8 【申请日】2008-09-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101683966A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101683966B 【授权公告日】2012-05-02 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】B81B7/00; B81C3/00 【发明人】彭春荣; 夏善红 【主权项内容】1.一种微型电场传感器的封装结构，含有两个封装支撑结构，其特 征在于： 具有两个探测单元与两个封装支撑结构对称布置并固定连接，每个封 装支撑结构内有一个探测单元，其中： 每个探测单元包括一基板、一导体封盖、一传感器芯片、O型圈、连 接电路及其凸焊点和接地屏蔽环，传感器芯片置于基板上的中央位置的 接地屏蔽环内部，O型圈安装到基板的边缘处，基板和导体封盖对准O 型圈并紧密结合，并基板和导体封盖装载到真空室中，具有施加压力的 基板和导体封盖将O型圈压在基板和导体封盖之间，在O型圈周围填充 真空密封胶，实现真空密封。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【被引证次数】11 【被自引次数】4.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11
