【摘要】 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810101761.0 【申请日】2008-03-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533768B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533768B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/20; H01L33/00; H01S5/343 【发明人】杨涛; 季海铭 【主权项内容】一种铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层镓砷缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积厚度≤20nm的盖层初始部分，该盖层初始部分由铟镓砷盖层和镓砷盖层构成；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长厚度≤100nm的镓砷盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【家族被引证次数】2
