【摘要】 本发明公开了一种基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法，通过调节交流电源输出电流的大小、以及玻璃基板与钨舟的距离，在真空室内，通过热蒸发碲原料，直接在玻璃基板上沉积出具有碲纳米线阵列结构的薄膜。整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产，所得到的碲纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路37号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226975.0 【申请日】2008-12-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101435067B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101435067B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/06; C23C14/24; C23C14/54 【发明人】邓元; 宋袁曾; 张艳景; 王广胜; 杨萌 【主权项内容】一种基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法，其特征在于：是将粒径5～20μm的碲粉末放入真空镀膜机的真空室(1)的钨舟(2)中，把玻璃基板(3)放置于样品台(4)上，调节玻璃基板(3)与钨舟(2)的距离d＝6～10cm；密封真空室(1)，向真空室(1)内充入2～5min氮气后停止，随后对真空室(1)抽真空，使真空室(1)内真空度达到2.0×10-3Pa～5.0×10-5Pa；在真空镀膜机上设定沉积速率4～16nm/min，沉积时间5～12h；开启交流电源，调节输出电流165A～175A；开始在玻璃基板(3)上沉积制备碲纳米线阵列薄膜；制备完毕，关闭交流电源，自然冷却至室温后，取出制有碲纳米线阵列薄膜的玻璃基板(3)。。 【当前权利人】北京航空航天大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路37号 【统一社会信用代码】12100000400011227Y 【家族被引证次数】7
