【摘要】 一种发光二极管的制作方法，包含以下步骤：首先提供一基座，其次提供一发光芯片于该基座上，该发光芯片的上表面具有至少一电极，接着于该发光芯片的上表面上形成一荧光层，该荧光层覆盖该电极，然后以一激光产生器提供一聚焦激光束，将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除，以形成露出至少部份该电极的透孔，最后将该发光芯片的电极以一导线经由该透孔电连接于该基座上。为此，可提供厚度一致的荧光层，以获得较佳的混光均匀性。 【专利类型】发明申请 【申请人】艾笛森光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810172332.2 【申请日】2008-10-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728465A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】陈柏伸; 何立仁; 庄世岱; 周宏勋 【主权项内容】一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包含如下步骤：(A)提供一基座；(B)提供一发光芯片于该基座上，该发光芯片的上表面具有至少一电极；(C)于该发光芯片的上表面上形成一荧光层，该荧光层覆盖该电极；(D)以一激光产生器提供一聚焦激光束将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除，以形成一露出至少部份的该电极的透孔；以及(E)将该发光芯片的电极以一导线经由该透孔电连接于该基座上。 【当前权利人】艾笛森光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
