【摘要】 本发明提出一种发光二极管及其工艺，其包含金属反射层，以提高光线 在发光二极管内部的反射效率，同时也可降低电阻，降低功率损耗。另外， 上述金属反射层与半导体之间还包含缓冲层，此缓冲层为金属与非金属透明 介质的混合结构，以降低半导体与金属间的应力，减少晶粒崩裂的可能。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134401.0 【申请日】2008-07-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635325A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635325B 【授权公告日】2011-11-16 【授权公告年份】2011.0 【发明人】洪梓健; 沈佳辉; 马志邦; 徐智鹏; 詹世雄 【主权项内容】1.一种发光二极管，包含： 发光结构，包含第一半导体层与第二半导体层，分别位于该发光结构的 两侧； 缓冲层，位于该第一半导体层上，并且该缓冲层包含介质阵列与金属阵 列，其中该金属阵列位于该介质阵列间的空隙；以及 反射层，位于该缓冲层上，以反射通过该介质阵列透射的光线。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【被引证次数】11 【家族被引证次数】11
