24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

显示面板及其方法专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明提供一种显示面板及其方法,此方法包含提供基板;形成晶体管元件于基板上,其中晶体管元件自基板依序包含栅极层、栅极介电层、包含源极/漏极扩散区及通道区于其间的半导体层、源极/漏极电极、绝缘层以及透明电极;形成凹凸状结构于基板上,且与晶体管元件相邻,其中凹凸状结构是在晶体管元件的源极/漏极电极形成前,通过选自形成栅极层、栅极介电层、以及半导体层的工艺所形成;以及形成电容元件于凹凸状结构,其中电容元件与凹凸状结构共形,且电容元件通过形成源极/漏极电极、绝缘层以及透明电极的工艺所形成。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810082384.0 【申请日】2008-03-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101236933B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101236933B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L27/12; G02F1/136; G02F1/1362 【发明人】林祥麟; 方国龙; 林敬桓 【主权项内容】一种形成显示面板的方法,其特征在于,所述方法包含: 提供基板; 形成晶体管元件于所述基板上,其中所述晶体管元件自所述基板依序包含栅极层、栅极介电层、半导体层、源极/漏极电极、绝缘层以及透明电极; 形成凹凸状结构于所述基板上,且与所述晶体管元件相邻,其中所述凹凸状结构是在所述晶体管元件的所述源极/漏极电极形成前,通过选自形成所述栅极层、所述栅极介电层、以及所述半导体层的工艺所形成;以及 形成电容元件于所述凹凸状结构,其中所述电容元件与所述凹凸状结构共形,且所述电容元件是通过形成所述源极/漏极电极、所述绝缘层以及所述透明电极的工艺所形成。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

  • 【摘要】本发明公开一种吸入式光盘驱动装置及方法,以传动单元移动滑动件及设滑槽之滑板。基板设平行两导槽。滑座设滑销嵌入两导槽,且设平行平移槽、牵动槽及固定柱固定连动齿轮。连杆设导销嵌入滑槽,及设连动销嵌入牵动槽。第一定位臂前端定位板两端设定位
  • 【摘要】一种微机电系统封装构造包含一第一及第二层板及一压合材料。该第一层板包含一下金属线路、一金属薄膜及一贯穿开口,该下金属线路位于该第一层板的下表面上,该金属薄膜配置于该下金属线路上。该第二层板包含一上金属线路及一金属电极片,该上金属线路
  • 【摘要】本发明公开一种晶片级芯片尺寸封装(wafer-level chip-scale package)的制造方法,包括:形成多个导电柱于一半导体晶片的一第一表面上,该半导体晶片中具有多个裸片;以干蚀刻形成至少一沟槽于该半导体晶片的该第一表
  • 【摘要】本发明是一种单向金属氧化物半导体场效应晶体管,其包含金属氧化物半导 体场效应晶体管、电流检测电路与快速关闭电路。该电流检测电路检测流经该金属 氧化物半导体场效应晶体管电流的方向。当检测到顺向电流,该快速关闭电路被除 能且形成该金属氧
  • 【摘要】一种电子装置的机壳,其位于电子装置的最外层,并包括一光电转换薄膜以及 一壳体。光电转换薄膜具有一有机材料。壳体作为光电转换薄膜的基板,使光 电转换薄膜形成于壳体。【专利类型】发明申请【申请人】和硕联合科技股份有限公司【申请人类型】企
  • 【摘要】本发明是有关于一种感测模块,其包括:一承载器,具有一承载面以 及与该承载面相对的一背面;一感测器,配置在该承载面上,且电性连接 至该承载器;一基板,配置在该承载器上,且电性连接至该承载面;以及 多个晶片,配置在该基板上,且分别电性连