【摘要】 本发明是一种单向金属氧化物半导体场效应晶体管，其包含金属氧化物半导 体场效应晶体管、电流检测电路与快速关闭电路。该电流检测电路检测流经该金属 氧化物半导体场效应晶体管电流的方向。当检测到顺向电流，该快速关闭电路被除 能且形成该金属氧化物半导体场效应晶体管的通道。当检测到逆向电流，该快速关 闭电路被致能且无法形成该金属氧化物半导体场效应晶体管的通道。此单向金属氧 化物半导体场效应晶体管可被但不受限于应用在同步整流器以有效抑制该逆向电 流或该击穿电流至极小值。本发明避免现有技术中因饱和模式下双向导通的特性导 致电力转换器中的同步整流器在轻载下的逆向电流或在重载下的击穿电流降低转 换器效率或损坏同步整流器的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】洋鑫科技股份有限公司; 王志良 【申请人类型】企业,个人 【申请人地址】台湾省台北县中和市中山路二段352号9楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810168066.6 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101686018A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101686018B 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H02M7/217; H01L27/02 【发明人】王志良; 余金生; 翁博泰 【主权项内容】1.一种单向金属氧化物半导体场效应晶体管，包含： 一控制端、一受电端与一释电端； 一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一高压端与一低压端； 一电流检测电路具有一第一输入端、一第二输入端与一输出端；以及 一快速关闭电路具有一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端与一第二 输出端； 其中，该金属氧化物半导体场效应晶体管与该电流检测电路串接于该受电端 与该释电端间，该金属氧化物半导体场效应晶体管与该电流检测电路的串接方式为 一低端检测或一高端检测，该低端检测的串接方式是该受电端连接该金属氧化物半 导体场效应晶体管的该高压端，该金属氧化物半导体场效应晶体管的该低压端连接 该电流检测电路的该第一输入端，该电流检测电路的该第二输入端连接该释电端， 该高端检测的串接方式是该受电端连接该电流检测电路的该第一输入端，该电流检 测电路的该第二输入端连接该金属氧化物半导体场效应晶体管的该高压端，该金属 氧化物半导体场效应晶体管的该低压端连接该释电端，该快速关闭电路的该第一输 入端、该第二输入端、该第一输出端与该第二输出端分别连接该电流检测电路的该 输出端、该控制端、该金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极与该金属氧化物半 导体场效应晶体管的该低压端。 【当前权利人】洋鑫科技股份有限公司; 王志良 【当前专利权人地址】中国台湾台北县中和市中山路二段352号9楼; 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
