【摘要】 一种微机电系统封装构造包含一第一及第二层板及一压合材料。该第一层板包含一下金属线路、一金属薄膜及一贯穿开口，该下金属线路位于该第一层板的下表面上，该金属薄膜配置于该下金属线路上。该第二层板包含一上金属线路及一金属电极片，该上金属线路位于该第二层板的上表面上，该金属电极片配置于该上金属线路上，且该金属电极片对应于该金属薄膜。该压合材料配置于该下金属线路与该上金属线路之间，并包含一中空部分，用以容纳该金属薄膜及该金属电极片，该金属薄膜、该中空部分及该金属电极片形成一感应单元，其对应于该贯穿开口。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810092709.3 【申请日】2008-04-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101249936B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101249936B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B81B7/00; B81C3/00 【发明人】杨学安; 王盟仁; 王维中; 李明锦; 黄蔚彬; 郑凤珍 【主权项内容】一种微机电系统的封装构造，包含：第一层板，具有上表面及下表面，并包含第一下金属线路、金属薄膜及第一贯穿开口，其中该下表面是相对于该上表面，该第一下金属线路是位于该下表面上，该金属薄膜是配置于该第一下金属线路上，且该第一贯穿开口由该上表面延伸至该下表面，其中该金属薄膜包含数个贯穿孔；第二层板，具有上表面及下表面，并包含第二上金属线路及一金属电极片，其中该下表面是相对于该上表面，该第二上金属线路是位于该上表面上，该金属电极片是配置于该第二上金属线路上，且该金属电极片是对应于该金属薄膜；以及压合材料，配置于该第一下金属线路与该第二上金属线路之间，并包含一中空部分，用以容纳该金属薄膜及该金属电极片，其中该金属薄膜、该中空部分及该金属电极片形成一感应单元，且该感应单元是对应于该第一贯穿开口。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
