【摘要】 本发明公开了一种立体线路的制作方法。首先,提供一立体绝缘结构, 且立体绝缘结构具有至少一凹凸面。接着,在凹凸面上形成一自组成薄膜, 以全面覆盖凹凸面。然后,在自组成薄膜上形成一催化薄膜。之后,图案化 自组成薄膜与催化薄膜。然后,以化学沉积法在催化薄膜上形成一立体线路 结构。本发明可在立体绝缘结构的凹凸面上形成立体线路结构,而不需形成 在已知的线路板上。 【专利类型】发明申请 【申请人】欣兴电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810144887.6 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640980A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】曾子章; 余丞博 【主权项内容】1.一种立体线路的制作方法,包括: 提供一立体绝缘结构,且该立体绝缘结构具有至少一凹凸面; 在该凹凸面上形成一自组成薄膜,以全面覆盖该凹凸面; 在该自组成薄膜上形成一催化薄膜; 图案化该自组成薄膜与该催化薄膜;以及 以化学沉积法在该催化薄膜上形成一立体线路结构。 : 【当前权利人】欣兴电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE