【摘要】 本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，该电光 调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里-珀罗谐振腔(4)串 联而成，该两个法布里-珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形成 级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。所述法布里-珀罗谐振腔(4)由两 个布拉格光栅(3)与位于该两个布拉格光栅之间的脊形波导(1)构成， 布拉格光栅(3)作为该法布里-珀罗谐振腔(4)的反射镜。本发明大幅提 高了谐振腔的F值、FSR、Q值等参数，使得电光调制器的消光比大大增 加，调制所需功耗更小，速度更快，而且器件结构紧凑，制作工艺与成熟 的微电子CMOS工艺兼容。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117494.6 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101639576A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】孙阳; 陈少武; 徐学俊 【主权项内容】1、一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，其特征在于，该 电光调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里-珀罗谐振腔(4) 串联而成，该两个法布里-珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形 成级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
