【摘要】 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法，有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构，通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227483.3 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740570A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740570B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/092; H01L29/78; H01L29/51; H01L21/8238 【发明人】王文武; 陈世杰 【主权项内容】 一种互补型金属氧化物半导体CMOS晶体管器件，其特征在于，包含：一硅衬底，该硅衬底包含第一区域和第二区域；一第一晶体管，其形成于该硅衬底的第一区域中，该第一晶体管包含：配置在该硅衬底上的一第一源极与一第一漏极；配置在该第一源漏极上的一第一沟道区域；配置在该第一沟道区域上的一低k材料界面层；配置在该低k材料界面层上的一第一超薄高k界面层结构；配置在该第一超薄高k界面层结构上的一主高k栅介质层；以及配置在该主高k栅介质层上的一金属栅；该主高k栅介质层包含第一材料，该第一超薄高k界面层结构包含第二材料；以及一第二晶体管，其形成于该硅衬底的第二区域中，该第二晶体管包含：配置在该硅衬底上的一第二源极与一第二漏极；配置在该第二源漏极上的第二沟道区域；配置在该第二沟道区域上的一低k材料界面层；配置在该低k材料界面层上的一第二超薄高k界面层结构；配置在该第二超薄高k界面层结构上的一主高k栅介质层；以及配置在该主高k栅介质层上的一金属栅；该主高k栅介质层包含第一材料，该第二超薄高k界面层结构包含第三材料，其中该第二材料与该第三材料不同。 【当前权利人】锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 【当前专利权人地址】广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】5 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】5
