【摘要】 一种去耦合电容电路包含有多个相互串联的深槽电容与多个推挽电路。该去耦合电容电路利用推挽电路来控制每一深槽电容的跨压，使其不受深槽电容的缺陷(泄漏电流)或者寄生元件的偏压影响。 【专利类型】发明授权 【申请人】钰创科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810082746.6 【申请日】2008-03-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101252127B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101252127B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/00; H01L27/02 【发明人】许人寿; 王明弘 【主权项内容】一种去耦合电容电路，其特征在于，包含有：多个串联的深槽电容，该多个深槽电容包含连接于一节点的一第一深槽电容与一第二深槽电容；电压分压器，用以产生一组参考电压；以及推挽电路，依据该组参考电压选择性地调整该节点的电压值至一预设范围内。 【当前权利人】钰创科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
