【摘要】 本发明涉及半导体芯片工艺技术领域，特别涉及一种制作P型衬底硅片的方法以及测量温度的方法和装置，用于提高在金属淀积后退火工艺中检测问题的准确性。本发明实施例的方法包括：将P型衬底硅片与处于恒温的实体持续接触；在所述P型衬底硅片与所述实体持续接触一设定时间后，确定所述P型衬底硅片的当前阻值；根据预先设置的阻值和温度的对应关系，确定所述P型衬底硅片的当前阻值对应的温度；将确定的所述温度作为所述实体处于恒温的温度。采用本发明实施例的方法能够提高生产的半导体晶圆的稳定性和生产的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810247316.5 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770942A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770942B 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/265; H01L21/66 【发明人】李熙; 王焜; 刘其金 【主权项内容】一种制作P型衬底硅片的方法，其特征在于，该方法包括：选取电阻率范围为15ohm/cm～20ohm/cm的P型衬底硅片；对选取的所述P型衬底硅片采用离子注入的方式注入磷离子；其中，所述P型衬底硅片中的磷离子的剂量范围为：5×1013ions/cm2～5×1014ions/cm2；在对所述P型衬底硅片进行离子注入时所使用的能量范围为：50KEV～200KEV。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
