【摘要】 一种等离子体装置工艺腔预处理的方法，用于在所述工艺腔的含有铝材质的内壁或内部部件表面形成保护层，包括：用含氟等离子体对所述内壁及内部部件表面执行氟化处理，在所述内壁及内部部件表面形成铝氟化合物阻挡层。本发明形成的铝氟化合物与工艺腔内壁以及内部部件结合力强，且各处结合力大小基本相同，可增强抗等离子体腐蚀能力，避免或减小颗粒污染物产生；相对于使用喷涂方法，成本降低，且制造难度下降。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼北方微电子 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240867.9 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764044A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764044B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; C23C16/44; C23F4/00; H01J37/32; H01J37/317 【发明人】陶林 【主权项内容】一种等离子体装置工艺腔预处理的方法，用于在所述工艺腔的含有铝材质的内壁或内部部件表面形成保护层，其特征在于，包括：用含氟等离子体对所述内壁及内部部件表面执行氟化处理，在所述内壁及内部部件表面形成铝氟化合物阻挡层。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】11
