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匹配器及等离子体设备专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明公开了一种匹配器及等离子体设备,匹配器自输入端至输出端依次设有传感器、匹配网络,在传感器与匹配网络之间或之后加入变压器,可以通过变压器与可变阻抗器件的配合设置预设值,在工艺过程初始使等离子体处于较稳定的起辉状态;还可以通过变压器的初级线圈和次级线圈的变化,以对应不同的工艺气体和工况,使等离子体稳定迅速地起辉,并缩短匹配时间,能够提高晶圆处理的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240188.1 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101754567A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H05H1/46; H01J37/32 【发明人】陈鹏 【主权项内容】一种匹配器,其特征在于,该匹配器自输入端至输出端依次设有传感器、匹配网络,所述输入端与输出端之间设有变压器。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】5 【被自引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】5

  • 【摘要】本发明公开了一种掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法,其中掩膜 板制造方法包括:步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体,使得所述存储晶体 制备成掩膜板。其中TFT制造方法除了包括步骤10,还包括步骤20、将光束 射向所述掩膜板,透过所
  • 【摘要】本发明公开了一种焊盘的形成方法,包括步骤:提供衬底,且所述衬底内包含下层导电结构,所述下层导电结构上具有介质层,所述介质层内形成了焊盘开口;在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层;在所述导电层上覆盖一层盖层;在所述盖层
  • 【摘要】本发明涉及一种四缸汽油发动机32位电子控制单元。本发明的技术方案包括:32位单片机的输入端与信号处理器连接,32位单片机的输出端与驱动模块、点火控制模块、节气门控制模块、协处理器连接,32位单片机还与外部存储模块连接,外部存储模块用
  • 【摘要】本发明公开了一种集成电路芯片的封胶装置,包括:底板,用于承托具有集成电路芯片的电路板;顶板,用于与所述底板相扣合,使所述电路板与所述顶板的底面紧密贴合,其中,所述顶板具有至少一个开窗,与所述电路板上的集成电路芯片的位置相对应,使所述
  • 【摘要】本发明提供了一种回收废贵金属催化剂中的贵金属的方法,该方法包括,在超临界流体萃取的条件下,将废贵金属催化剂与螯合剂和萃取剂接触,分离出萃取液,并除去该萃取液中的萃取剂,所述螯合剂为与该废贵金属催化剂中的贵金属形成螯合物的物质,所述萃
  • 【摘要】双嘧达莫口崩片及制备方法属于药物制剂领域。所述的口崩片中各组分及其质量百分比为双嘧达莫5~50%、填充剂20~70%、崩解剂10~40%、泡腾剂1~5%、矫味剂0~3%、润滑剂0.5~1.8%、粘合剂8~20%。本发明方法包括如下步