【摘要】 本发明公开了一种焊盘的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底内包含下层导电结构，所述下层导电结构上具有介质层，所述介质层内形成了焊盘开口；在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层；在所述导电层上覆盖一层盖层；在所述盖层上定义焊盘图形；对所述盖层及导电层进行刻蚀，形成焊盘。本发明还公开了一种利用该形成方法形成的焊盘。本发明的焊盘及其形成方法可以防止光刻胶对导电层的侵蚀，提高焊盘的形成质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225757.5 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740423A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/60; H01L23/485 【发明人】王新鹏; 沈满华; 孙武 【主权项内容】一种焊盘的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且所述衬底内包含下层导电结构，所述下层导电结构上具有介质层，所述介质层内形成了焊盘开口；在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层；在所述导电层上覆盖一层盖层；在所述盖层上定义焊盘图形；对所述盖层及导电层进行刻蚀，形成焊盘。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0
