【摘要】 一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，采用非平衡磁控溅射设备 进行，其具体作法是：A、清洗；B、沉积铬过渡层；C、沉积多层氮化铬薄膜。 真空室中通入高纯度压强为0.65×10-1Pa～5×10-1Pa的氩气；同时在真空室中高 纯度压强为0.65×10-1～5×10-1Pa的氮气作为反应气体；先在工件上加 -150～-4000V的负偏压，打开铬靶溅射电源，沉积一层压应力氮化铬薄膜；然后， 在工件上加0～-100V的负偏压，再次打开铬靶溅射电源，再沉积一层拉应力的 氮化铬薄膜，重复2～40次。该方法操作简单、成本低廉；采用该方法制备的氮 化铬薄膜厚度大，硬度高、膜基结合力良好、致密度高、表面光洁和耐腐蚀性 强。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610031四川省成都市二环路北一段111号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810045618.4 【申请日】2008-07-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100577860C 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100577860C 【授权公告日】2010-01-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/06; C23C14/54 【发明人】冷永祥; 黄楠; 孙鸿; 杨苹; 王进; 陈俊英; 吴燕萍 【主权项内容】1、一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，采用非平衡磁控溅射设备 进行，其具体作法是： A、清洗将工件放置于非平衡磁控溅射设备的真空室的样品台上，关闭真 空室，真空抽至3.0×10-3Pa后，通入氩气，对工件进行氩等离子溅射清洗； B、沉积铬过渡层打开铬靶溅射电源，在工件表面沉积50～150nm厚的铬 过渡层，然后关闭铬靶溅射电源； C、沉积多层氮化铬薄膜真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65× 10-1Pa～5×10-1Pa的氩气；同时在真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65 ×10-1Pa～5×10-1Pa的氮气作为反应气体；在工件上加-150～-4000V的负偏压， 打开铬靶溅射电源，沉积出厚度为35nm～500nm的一层压应力的氮化铬薄膜；然 后，在工件上加0～-100V的负偏压，再次打开铬靶溅射电源，再沉积出厚度为 100nm～500nm的一层拉应力的氮化铬薄膜。 【当前权利人】西南交通大学 【当前专利权人地址】四川省成都市二环路北一段111号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000450752090P 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】14
