【摘要】 双极结型晶体管，涉及半导体功率器件技术领域。本发明包括衬 底、集电区、发射区、基区、发射极电极、基极电极和集电极电极， 其特征在于，在基区内部设置有浮空埋层，所述浮空埋层材料与基区 材料相异。本发明的有益效果是，同时具有良好的直流特性和击穿特 性，即具有高电流增益的同时还具有较高的击穿电压，能广泛应用于 大功率变换器(如DC-DC变换器及逆变器)领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054四川省成都市建设北路二段4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810147770.3 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100589252C 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100589252C 【授权公告日】2010-02-10 【授权公告年份】2010.0 【发明人】张有润; 张波; 刘锡麟 【主权项内容】1、双极结型晶体管，包括衬底(33)、集电区(23)、发射区 (21)、基区(22)、发射极电极(11)、基极电极(12A、12B) 和集电极电极(13)，其特征在于，在基区(22)内部设置有浮空埋 层(24)，所述浮空埋层(24)材料与基区(22)材料相异；所述相 异的含义为：如果基区是N型材料，则浮空埋层是P型材料；反之， 如果基区是P型材料，则浮空埋层是N型材料。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段4号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
