【摘要】 一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，属于半导体工艺制造领域。本发明主要制造步骤包括：N+衬底的制备，N-外延生长，栅氧氧化，多晶硅淀积及掺杂，淀积二氧化硅，刻出多晶硅窗口，P阱注入及推进，高浓度深P+注入，N+源注入，氧化形成接触孔，以氧化层为掩模刻出沟槽型窗口，淀积金属，刻蚀金属，钝化，背面金属化。本发明可实现只用两道掩模板完成VDMOS器件的制造，大大降低了器件的制造成本；同时由于P+层的存在和沟槽型源接触金属的引入，削弱了器件本身的寄生晶体管效应，降低了漏源之间的电阻。本发明可应用于VDMOS器件及其它半导体器件(例如绝缘栅双极型晶体管)及集成电路的的生产制造。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810046206.2 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101383287B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101383287B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】李泽宏; 钱梦亮; 连延杰; 张波 【主权项内容】一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括以下顺序步骤：步骤1.在N+衬底(1)上表面依次制备N‑外延层(2)、第一二氧化硅层(3)、重掺杂多晶硅层(4)和第二二氧化硅层(5)；步骤2.设计第一道掩模，刻蚀掉中间环形部分的第二二氧化硅层(5)、重掺杂多晶硅层(4)和第一二氧化硅层(3)，露出N‑外延层(2)，形成一个多晶硅窗口；步骤3.在步骤2形成的多晶硅窗口区域漏出的N‑外延层表面掺入低浓度P型杂质，然后高温推进形成P阱区；步骤4.在步骤3形成的P阱区进行高浓度、高剂量的P型杂质深度注入，在P阱区底部形成一个P+区；步骤5.在步骤3形成的P阱区进行高浓度的磷或砷注入，在P阱区顶部形成N+源区；步骤6.对多晶硅窗口区域的多晶硅层(4)的侧壁进行氧化，生成一层二氧化硅作为栅源之间的介质隔离；步骤7.对多晶硅窗口区域进一步刻蚀掉部分N‑外延层(2)，形成沟槽型窗口作为引线孔；步骤8.在步骤7形成的沟槽型窗口及整个器件的上、下表面淀积一层金属，下表面所淀积的金属层即是整个器件的漏电极；步骤9.设计第二道掩模，采用光刻工艺，在器件上表面刻蚀形成源电极和栅电极。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】34
