【摘要】 本发明公开了一种金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管绝缘栅的制造方法，在温度为1000℃～1200℃之间在低浓度氧化性气体中对绝缘栅层进行快速热处理。本方法在绝缘栅层和沟道区之间再生长出一个厚度大于0.05nm的氧化物层，导致由于声子能量耦合增强(PECE)效应而减小绝缘栅的漏电电流2～5个数量级，并且提高了热电子的可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】陈志 【申请人类型】个人 【申请人地址】610000 四川省成都市武侯区郭家桥北街5号4栋1单元4楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810174722.3 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101692421A 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101692421B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/3105; H01L21/316; H01L21/336; H01L29/78; H01L29/51; H01L29/423 【发明人】陈志; 郭军 【主权项内容】一种制备半导体晶体管绝缘栅的方法，此方法由以下步骤组成：在基底的沟道区上制备绝缘栅层；以及，在氧化性气体氛围中，通过加热绝缘栅层至大约1000℃-1200℃的高温，在沟道区和绝缘栅层之间生长厚度大于0.05nm的氧化物层. 【当前权利人】深圳市志宇传感科技有限公司 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
