【摘要】 一种非挥发性内存及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板。接着，形成一半导体层于基板上。然后，形成一富硅介电材料层于半导体层上方。接着，进行一镭射退火工艺，使得富硅介电材料层中形成多个硅纳米微晶粒，以形成一电荷储存介电层。然后，形成一栅极于电荷储存介电层上方。 -官网 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810132095.7 【申请日】2008-07-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330012B 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330012B 【授权公告日】2010-06-30 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/3105; H01L21/336; H01L21/8247; H01L21/84; H01L29/792; H01L29/51; H01L27/12 【发明人】卓恩宗; 赵志伟; 彭佳添 【主权项内容】一种非挥发性内存的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一半导体层于该基板上；形成一富硅介电材料层直接位于该半导体层上；进行一镭射退火工艺，使得该富硅介电材料层中形成一电荷穿遂区、一电荷储存区与一电荷阻挡区，其中该电荷穿遂区位于该半导体层上，该电荷储存区具有多个硅纳米微晶粒，并该电荷储存区位于该电荷穿遂区上，以及该电荷阻挡区，由该富硅介电材料组成，并位于该电荷储存区上，其中，该镭射退火工艺操作温度低于400℃；以及；形成一栅极直接位于具有所述硅纳米微晶粒的该富硅介电材料层上。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹
