【摘要】 本发明的硅基金属合金薄膜的硅含量为百分之62到百分之85重量百分比，其余重 量百分比为金属，所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。另外，将所述硅基金 属合金薄膜设置在外壳，例如：电子装置的壳体表面，就可制成具硅基金属合金薄膜的 电子装置。本发明的所述硅基金属合金薄膜不会对任何电磁波信号产生衰减，且具金属 光影和质感以增加产品价值，而且具有不易变色、生产良率高、批次间色泽差异小、耐 候性佳、附着性强、半成品储存时间长等功效。而且，所述硅基金属合金薄膜可直接应 用于高产率的模内射出工艺，以增加产量，且可利用成本较低的直流溅镀方法制造，所 以可降低生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国钢铁股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133013.0 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101619437A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101619437B 【授权公告日】2012-02-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/14; C23C14/34 【发明人】董寰乾; 邱军浩; 张瑞东; 洪胤庭; 李至隆 【主权项内容】1.一种硅基金属合金薄膜，其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比，其余 重量百分比为金属，所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。 【当前权利人】中国钢铁股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄 【被引证次数】6 【被自引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
