【摘要】 一种利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构，其包括：金属壳 体、氧化层、系统接地层和至少一导体。金属壳体提供有一容置空间，并且系 统接地层和导体位于容置空间内。金属壳体经过阳极处理后，于其表面上形成 有氧化层。导体电性连接至金属壳体内侧表面上的氧化层和系统接地层，以致 使形成于金属壳体上的静电能被释放到系统接地层。 【专利类型】发明申请 【申请人】英业达股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131236.3 【申请日】2008-08-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640968A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640968B 【授权公告日】2012-03-28 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈昱宏 【主权项内容】1、一种利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构，其特征在于， 包括： 一金属壳体； 一氧化层，形成于该金属壳体的表面； 一系统接地层，位于该金属壳体内；以及 至少一导体，电性连接至该金属壳体内侧表面上的该氧化层和该系统接地 层，以提供该氧化层和该系统接地层之间的电性连结。 【当前权利人】英业达股份有限公司; 英业达(重庆)有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市士林区后港街66号; 重庆市沙坪坝区西区二路66号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
