【摘要】 本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池，在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中，与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0.45eV。同型双层结构的掺杂的硅层之间光学带隙的不同是按照匹配原理来排列，或改变同种材料的生长工艺参数对光学带隙大小进行调控而实现的。根据本发明，可以同时实现掺杂的硅层与本征硅层界面处粒子交换作用的抑制及掺杂剂粒子与缺陷积累与分布的控制，减小了本征硅层内过多缺陷，同时提高太阳电池的初始光电转换效率和光照稳定性，进一步降低硅基薄膜太阳电池的生产制造成本，可应用于任何p-i-n与n-i-p结构硅基单结、叠层与多结太阳电池。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南技术物理研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】610041 四川省成都市武侯区人民南路四段七号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810045753.9 【申请日】2008-08-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373799B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373799B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/075; H01L31/0248; H01L31/076 【发明人】余晨辉; 余丽波; 覃文治; 石柱; 王鸥 【主权项内容】一种双层掺杂层硅基薄膜太阳电池，包括按先后顺序依次排列的透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、p-i-n叠层结构、背电极层(8)、不透明衬底(9)，其中所述透明衬底(1)与所述不透明衬底(9)只存在其一，其中所述p-i-n叠层结构具体为按先后顺序依次排列的双层结构的p型掺杂的硅层(3、4)、本征硅层(5)以及双层结构的n型掺杂的硅层(6、7)，其特征在于：在所述双层结构的p型掺杂的硅层(3、4)中，与所述本征硅层(5)相邻较近的第一p型掺杂的硅层(4)的光学带隙比与所述本征硅层(5)相邻较远的第二p型掺杂的硅层(3)的光学带隙大，其中第一p型掺杂的硅层(4)与第二p型掺杂的硅层(3)的光学带隙差值不大于0.45eV；以及在所述双层结构的n型掺杂的硅层(6、7)中，与所述本征硅层(5)相邻较近的第一n型掺杂的硅层(6)的光学带隙比与所述本征硅层(5)相邻较远的第二n型掺杂的硅层(7)的光学带隙大，其中第一n型掺杂的硅层(6)与第二n型掺杂的硅层(7)的光学带隙差值不大于0.45eV。 【当前权利人】西南技术物理研究所 【当前专利权人地址】四川省成都市武侯区人民南路四段七号 【专利权人类型】全民所有制 【家族被引证次数】10
