【摘要】 本发明提出一种阻断半导体差排缺陷的方法。首先，外延一半导体层于一衬底上，并在半导体层上差排缺陷所造成的结构脆弱处蚀刻出凹洞。之后，在每一个凹洞上形成一阻断层。随后，再外延上述的半导体层，使半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。本发明可以在外延过程中降低差排缺陷密度以改善外延层的光学特性。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810167630.2 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728244A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/20; H01L33/00 【发明人】吴芃逸; 黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 林文禹; 詹世雄 【主权项内容】一种阻断半导体差排缺陷的方法，至少执行一次下列步骤：形成多个凹洞于一半导体层上的差排缺陷处；在每一个凹洞上形成一阻断层；以及再外延该半导体层，使该半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【引证次数】7.0 【被引证次数】9 【他引次数】7.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】9
