【摘要】 一种侦测一存储阵列中字元线损坏的方法和装置，方法包含以下步骤启动该第一字元线，将其耦接于一第一偏压源，与此同时，对其所对应的一第一存储单元写入一第一资料；再度启动该第一字元线，将其与该第一偏压源的耦接断开，经由一预定时间TP之后，对该第一存储单元写入相异于该第一资料的第二资料，预定时间TP满足：当字元线中间有杂质时，经预定时间TP后字元线上的电位降到低于临界电位；读取该第一存储单元所储存的资料；及根据该读取资料判断该第一字元线是否损坏。本发明所提供的动态随机存取存储存储器阵列中字元线损坏的侦测方法与侦测装置，可以让使用者侦测哪些字元线有被其他字元线短路的情况。 【专利类型】发明授权 【申请人】钰创科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810081849.0 【申请日】2008-05-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281786B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281786B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C11/4078 【发明人】陈子豪; 许人寿; 杨连圣; 蓝尹明 【主权项内容】一种侦测存储阵列中字元线损坏的方法，其中该存储阵列包含复数条字元线及复数个对应的存储单元，该复数条字元线包含一第一字元线及复数条第二字元线，所述方法包括以下步骤：启动该第一字元线，将该第一字元线耦接于一第一偏压源，与此同时，对该第一字元线所对应的一第一存储单元写入一第一资料；再度启动该第一字元线，将该第一字元线与该第一偏压源的耦接断开，经由一预定时间TP之后，对该第一存储单元写入一相异于该第一资料的一第二资料，其中，预定时间TP满足：当字元线中间有杂质时，经预定时间TP后，字元线上的电位降到低于临界电位；读取该第一存储单元所储存的资料；及根据该读取资料判断该第一字元线是否损坏。。： 【当前权利人】钰创科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】3
