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酒柜(T5174)专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】朱长远【申请人类型】个人【申请人地址】610043 四川省成都市武侯区金花镇七里村七组【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830071993.7 【申请日】2008-01-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN301389905S 【公开公告日】2010-11-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN301389905S 【授权公告日】2010-11-24 【授权公告年份】2010.0 【发明人】朱长远【主权项内容】无【当前权利人】朱长远【当前专利权人地址】四川省成都市武侯区金花镇七里村七组

一种配方复合肥的生产制造方法
【摘要】一种配方复合肥的生产制造方法，特征是，将具有一定养分比例的母料通过传送系统送入卧式造粒机，将已经干燥升温的磷铵、氯化钾或硫酸钾、填充料等的混合物与在尿素熔融器中熔融的尿素一起，通过混合料浆输送管送入混合料浆泵槽生成熔体料浆；通过
沙发(FL06)
【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都金鹰家私制造有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610203四川省成都市双流县彭镇交通路二段3-15号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】双流区【申请号】CN200
沙发(FT055)
【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都金鹰家私制造有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610203四川省成都市双流县彭镇交通路二段3-15号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】双流区【申请号】CN200
近空间升华法制备大面积化合物半导体源
【摘要】本发明“近空间升华法制备大面积化合物半导体源”属于半导体薄膜及其源材料的制备设备之技术领域。在化合物半导体薄膜与器件的制造中，常常使用近空间升华技术、溅射技术或真空蒸发技术。在这些技术中，如果要沉积大面积样品，都需要用同种材料
梳妆台(83701)
【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】张友全【申请人类型】个人【申请人地址】611231四川省崇州市羊马镇五组六号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】崇州市【申请号】CN200830343384.2【申请日】2
餐椅(1-C205)
【摘要】1.仰视图无设计要点，省略仰视图。 2.省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都浪度原木缘家具有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610200四川省成都市新都区新都镇寂光村1社【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请

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