【摘要】 本发明“近空间升华法制备大面积化合物半导体源”属于半导体薄膜及其源材料的制备 设备之技术领域。 在化合物半导体薄膜与器件的制造中，常常使用近空间升华技术、溅射技术或真空蒸发 技术。在这些技术中，如果要沉积大面积样品，都需要用同种材料制成大面积的靶或源。 相比其它技术，用近空间升华沉积能获得高纯度、大面积、较厚的靶(或源)，制作过程 的损耗也很小。本发明正是实施这一技术的专门设备，并针对上述要求以及膜厚的均匀性作 了一系列特别的设计。 本设备是采用蒸发的源料气体分子在高真空中近似呈直线运动的原理，在大面积基片上 淀积成所需的化合物半导体源，这种化合物源板结成致密大块，完全不同于初始的源料；这 种源可以用做多种用处，如加热的源或靶材等。 【专利类型】发明申请 【申请人】四川大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610207四川省成都市双流县川大路 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810045790.X 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101649442A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【发明人】冯良桓; 黎兵; 蔡伟; 蔡亚萍 【主权项内容】1、一种制备大面积化合物半导体薄膜及其源的设备，其特征是利用 近空间升华法，以石墨块或其它高温下不易变形的材料，如不锈 钢板材作为源片载体，包括： 加热管放入真空罩中，使用内置加热； 装备了经抛光的不锈钢反光板； 设计了上石墨升降及水冷一体化装置； 装备了冷阱，进行尾气处理。 【当前权利人】四川大学 【当前专利权人地址】四川省成都市双流县川大路 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004000091949
