【摘要】 本发明提供一种存储器元件及其制造方法、一种半导体元件。该半导体 元件设置于基底上，此半导体元件具有二隔离结构、第一导体层、电荷陷入 层、第二导体层与栅介电层。二隔离结构设置于基底中以定义有源区。第二 导体层设置于基底上跨过二隔离结构。第一导体层设置于二隔离结构之间， 且位于第二导体层与基底之间，第一导体层电连接第二导体层。电荷陷入层 设置于基底上，且至少覆盖二隔离结构与第一导体层之间的界面。栅介电层 设置于该第一导体层与该基底之间。利用电荷陷入层覆盖浅沟渠隔离结构与 浮置栅极之间的界面，以抑制颈结效应。 【专利类型】发明申请 【申请人】力晶半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165774.4 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685820A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L27/115; H01L27/12; H01L29/792; H01L29/423; H01L21/8247; H01L21/84; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/02; H01L21/70; H01L29/40; H01L29/66 【发明人】李政鸿; 赵志明; 黄汉屏; 洪哲怀 【主权项内容】1.一种存储器元件，设置于基底上，该基底包括存储单元区与选择单元 区，该存储器元件包括： 多个隔离结构，设置于该基底中； 存储单元，设置于该存储单元区，包括依序设置于该基底上的穿隧介电 层、浮置栅极、栅间介电层和控制栅极； 选择单元，设置于该选择单元区，包括依序设置于该基底上的栅介电层、 第一导体层和第二导体层；以及 电荷陷入层，设置于该选择单元区，其中该电荷陷入层中具有一开口使 该第二导体层电连接该第一导体层，且该电荷陷入层至少覆盖所述隔离结构 与该第一导体层之间的界面。 【当前权利人】力晶半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】10 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】10
