【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该方法包括下列步骤。首先，提供具有像素区以及光感测区的基板。之后，形成图案化第一导电层于基板上，其中图案化第一导电层包括位于像素区的栅极以及位于光感测区内的第一电极，并且于第一电极上形成光敏介电层。继之，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极、光敏介电层以及第一电极。接着，形成图案化半导体层于栅极上方的栅极绝缘层上。之后，形成源极以及漏极于栅极两侧的图案化半导体层上，而栅极、源极与漏极构成薄膜晶体管。接着，形成第二电极于光敏介电层。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131286.1 【申请日】2008-08-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101325181B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101325181B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L27/144; G02F1/1362; G06F3/042 【发明人】李明贤; 石靖节; 卓恩宗; 彭佳添; 林昆志 【主权项内容】一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板上具有一像素区以及一光感测区；形成一图案化第一导电层于该基板上，其中该图案化第一导电层包括一位于该像素区的栅极以及一位于该光感测区内的第一电极，并且于该第一电极上形成一光敏介电层；形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极、该光敏介电层以及该第一电极；形成一图案化半导体层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一源极以及一漏极于该栅极两侧的该图案化半导体层上，而该栅极、该源极与该漏极构成一薄膜晶体管；形成一第二电极于该光敏介电层，其中该第一电极、该光敏介电层与该第二电极构成一光传感器。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】26
