【摘要】 本发明揭示一种发光元件，至少包含一发光层、一第一导电型局限层以 及一第二导电型局限层，其中第一导电型局限层与第二导电型局限的厚度不 同，使发光元件中沿外延生长方向的光强度分布曲线的峰值区域与发光层在 空间上不相互重叠。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810129294.2 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621096A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621096B 【授权公告日】2013-07-24 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】徐大正; 蔡孟伦 【主权项内容】1.一种发光元件，至少具有一外延结构，其中该外延结构具有发光层， 该发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化，其中最大 光强度位于发光层以外的区域。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】6.0
