【摘要】 本发明公开了一种发光二极管结构的电镀制程改良方法，其在制程过程中利用遮镀冶具覆盖于发光二极管结构的胶座周围以及胶座的凹陷部的底部，进而形成一层金属反射层于发光二极管结构上遮镀冶具所未覆盖的区域，最后移除遮镀冶具后，即可以完成在胶座表面以及胶座的凹陷部的侧面上形成一层金属反射层的技术手段，可以解决发光二极管结构在电镀金属反射层时，采取激光方式进行切割绝缘制程时所容易导致胶座损坏以及切割区域烧焦的问题，藉此可以达成发光二极管结构的电镀制程良率提升的技术功效。 【专利类型】发明申请 【申请人】一诠精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184513.7 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752470A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752470B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00; C25D5/02; C25D7/00 【发明人】林士杰; 黄玟苍; 蔡瑞光 【主权项内容】一种发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，包含下列步骤：于一金属板上形成以阵列方式排列的复数组支架单元与复数个胶座，每组支架单元与一胶座对应，其中各该胶座分别具有一凹陷部，各该支架单元分别具有至少二支架，该些支架的一端是暴露于该凹陷部内；以一遮镀冶具覆盖于各该胶座周围以及各该胶座的该凹陷部的底部；及形成一金属反射层于该遮镀冶具未覆盖的区域。 【当前权利人】一诠精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
