【摘要】 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基 发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、 ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO 基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或 Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～ 1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、 图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问 题。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130023吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810050429.6 【申请日】2008-03-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595939C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595939C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01S5/00; H01L33/02; H01L33/12; H01L33/28 【发明人】夏晓川; 杜国同; 张源涛; 马艳; 张宝林 【主权项内容】1、一种具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件，依次由衬底(1)、ZnO基 材料缓冲层(2)、ZnO基材料下限制层(3)、ZnO基材料有源层(4)、 ZnO基材料上限制层(5)、ZnO基材料盖层(6)构成，其特征在于：在 衬底(1)和ZnO基材料缓冲层(2)间具有掺杂夹层(101)，掺杂夹层 (101)的材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米。。： 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【引证次数】8.0 【被引证次数】2 【自引次数】4.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】2
